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碳化硅_化工百科 - ChemBK
2024年1月2日 性质. 高纯碳化硅为无色透明结晶或无定形粉末，含杂质的碳化硅为绿色，固溶有炭和金属氧化物杂质则呈黑色。 在常压下2500℃时发生分解。 相对密度3.20～3. 25,介电常 2021年11月17日 本研究采用 X 射线衍射 (XRD)、电感耦合等离子体原子发射光谱 (ICP-OES)、扫描电子显微镜 (SEM)、透射电子显微镜 (TEM) 和 X 射线光电子能谱 (XPS)。. 实验结果表 碳化硅中主要杂质元素的存在形式 - X-MOL
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4H碳化硅的进展和挑战：缺陷和杂质,Physica Scripta - X-MOL
2024年8月1日 与单晶硅等传统半导体材料相比，4H碳化硅（4H-SiC）的突出特性使其逐渐成为新兴功率半导体应用的关键半导体材料。 由于杂质和缺陷在半导体中的重要性，对4H-SiC杂 2018年10月8日 碳化硅都有哪些理化性质？碳化硅的理化性质：1、物质特性碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作磨料用外，还有很多其他用途，例如：以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体碳化硅都有哪些理化性质？ - 百度知道
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绿碳化硅的用途有哪些 - 知乎
2023年9月4日 绿碳化硅是一种具有高热导性、高抗腐蚀性和高硬度的材料，具有广泛的应用领域。以下是绿碳化硅的主要用途： 1.光电子领域：绿碳化硅具有优异的光学性能，可用于制作高效能的LED照明设备、高功率激光器和太阳能电池2014年4月8日 第4章单晶硅材料第5章单晶硅中的杂质和位错主要内容：•硅的基本性质•高纯多晶硅的制备•高纯单晶硅的制备•单晶硅中的杂质• ... 粗硅提纯直接制备太阳能电池级硅的方法主要有以下三种：酸洗法：冶炼级硅粉碎后用酸洗去金属杂质，再以 ...第4章单晶硅及其杂质和缺陷 - 豆丁网
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【半导体】干货丨碳化硅离子注入和退火工艺介绍-电子工程专辑
2024年1月23日 传统的硅功率器件工艺中，高温扩散和离子注入是最主要的掺杂控制方法，两者各有 ... 碳化硅功率器件掺杂工艺中，常用的掺杂元素有：N型掺杂，主要为氮元素和磷元素；P型掺杂，主要为铝元素和硼元素，它们的电离能和溶解极限见表1（注 ...2022年4月24日 这类碳化硅陶瓷多选择常压烧结制备，常压烧结碳化硅不同于反应烧结碳化硅，材料中没有游离硅的存在，其极限服役温度得到了提升。 另外固相常压烧结碳化硅中通常会使用碳作为烧结助剂，这对材料的润滑性也有较大提升，延长了材料的使用寿命。国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先进陶瓷在线
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碳化硅呈现不同颜色的原因
2021年7月20日 但是，在绿碳化硅冶炼炉中细结晶带的杂质含量往往高于黑碳化硅冶炼炉中靠近炉心的结晶快中的杂质含量，但前者却是绿色，后者是黑色的。 人们在绿碳化硅冶炼炉的外部带中没有找到铁或铝的氯氧化物，在炉内逸出的气体中也没有收集到氯气。2024年1月26日 半导体碳化硅(SiC)是一种Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本结构单元为 Si-C 四面体。而碳化硅(SiC)晶体，就是由碳原子和硅原子有序排列而成。选择碳原子（硅也可以）形成最紧密堆积层碳化硅 (SiC)半导体结构及生长技术的详解 - 九域半导体科技 ...
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电石中一般含有哪些杂质_百度知道
2007年1月6日 2016-05-26 用电石生产乙炔会产生哪些杂质。 10 2017-06-26 粗盐中含有哪些杂质 18 2010-11-12 电石中CaC2和水反应的实验中有杂质怎么除去？ 19 2016-11-26 铁屑中常含有哪些杂质 1 2013-11-09 由电石制取乙炔时，所得乙炔可能含有那些杂质？如何除去这些2021年7月7日 使用碳化硅可以制造肖特基势垒二极管和 MOSFET 等器件，实现高电压、低导通电阻和快速运行。6. 哪些杂质用于掺杂 SiC 材料？在纯碳化硅的形式下，其行为类似于电绝缘体。通过受控添加杂质或掺杂剂，SiC 可以表现得像半导体。关于碳化硅的 10 件事 - 电子工程专辑 EE Times China
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半导体碳化硅（SIC）深入认知的详解； - 知乎
2024年1月19日 碳化硅的主要性能有哪些 ？硅与碳的结合使这种材料具有出色的机械、化学和热性能，包括： ... 哪有杂质用于掺杂SIC 材料？在纯碳化硅的形式下，其行为类似于电绝缘体。通过受控添加杂质或掺杂剂，SiC 可以表现得像半导体。P型半导体可以 ...2019年7月19日 sic-sic的作用有哪些-sic（碳化硅 ）性质及用途 碳化硅（sic）概述 下文主要是讲sic的作用。金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在 ...sic-sic的作用有哪些-sic（碳化硅）性质及用途-KIA MOS管
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碳化硅是什么，有什么特性，在冶金行业有哪些用途 - 百家号
2023年10月7日 碳化硅是一种无机物，化学式为 SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。在大自然中，也存在罕见的碳化硅矿物，称为莫桑石。在工业上，碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种，均为六方晶体，比重为 3.20 ～ 3.25，显微硬度为 ...2023年11月17日 绿碳化硅是人造磨料的一种，颜色呈绿色，具有纯度高，硬度大，机械强度高等优点，那么绿碳化硅的性能有哪些呢？今天小编就为您介绍下绿碳化硅的性能。 绿碳化硅是以石油焦和优质硅石为主要原料,添加食盐作为添加剂绿碳化硅的性能有哪些 - 知乎
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碳化硅的物理性能有哪些 -
2021年10月14日 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅为应用最广泛、最经济的一种，可以称为金钢砂或耐火砂。那么碳化硅的物理性能有哪些呢？2020年6月10日 纯净的碳化硅是无色透明的，但工业生产的碳化硅由于其中存在游离碳、铁、硅等杂质，产品有黄、黑、墨绿、浅绿等不同色泽，常见的为浅绿和黑色。碳化硅的相对分子质量为40.09,其中硅占70.04%，碳占29.964。真密度3.21。熔点(升华)2600℃。碳化硅的合成、用途及制品制造工艺
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碳化硅杂质原子及电离能-海飞乐技术有限公司
2018年6月29日 碳化硅中几乎所有杂质的电离能都超过室温kT，电离能最低的N施主也有2倍室温kT之高，通常使用的受主杂质的电离能则高达数百meV。 利用光致发光技术(PL)、霍尔效应测试技术(HL)和红外吸收技术(IR)等方法确定的氮、铝、镓、硼在几种常用碳化硅同素异构体中的电离能 2023年10月27日 碳化硅器件的生产流程，碳化硅有哪些优劣势？-中游器件制造环节，不少功率器件制造厂商在硅基制造流程基础上进行产线升级便可满足碳化硅器件的制造需求。当然碳化硅材料的特殊性质决定其器件制造中某些工艺需要依靠特定设备进行特殊开发，以促使碳化硅器件耐高压、大电流功能的实现。碳化硅器件的生产流程，碳化硅有哪些优劣势？ - 电子发烧友网
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碳化硅的性能和特点有哪些？ - 百度知道
2021年8月13日 碳化硅的性能和特点有哪些？碳化硅的共价特性和高强度，同时可以决定碳化硅具有一定能量和机械强度。 ... 2、碳化硅在工业上是一种耐高温的半导体，属于杂质 导电性，随着杂质的种类和数量的不同，它的电阻率在很宽的范围内变化（10的﹣2 ...2020年7月4日 碳化硅有黑、绿两个品种。冶炼绿碳化硅时要求硅质原料中SiO2的含量尽可能高，杂质含量尽可能低;而生产黑碳化硅时，硅质原料中的SiO2含量可以稍低些。表1为对硅质原料的成分要求。硅质原料的粒度也是很重要的，一般可采用6#~20#混合粒度砂。耐火原材料——碳化硅的合成工艺 - 百家号
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无压烧结碳化硅工艺有哪些特点？ - 知乎
2024年3月18日 无压烧结碳化硅工艺具有以下特点： 1. 高纯度：无压烧结过程中，碳化硅粉末在高温下烧结，杂质较少，能得到高纯度的碳化硅制品。2. 高密度：由于烧结过程中不需要施加外部压力，碳化硅颗粒可以更自由地收缩和密实，从而获得高密度的制品。2023年10月23日 硅碳合金的应用范围越广，同时也会使合金的价格更高。硅碳合金还含有一些微量的杂质，如锰（Mn）、磷（P）、硫（S ... 硅碳合金在合金化剂方面的应用有哪些 ？主要有以下几种： 1.钢铁领域：硅碳合金可以作为钢 碳化硅是什么，有什么特性，有哪些用途 - 知乎
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碳化硅怎么回收 碳化硅在光伏产业的应用 - 知乎
2019年4月15日 以上就是小千给大家详细介绍的“碳化硅怎么回收和碳化硅在光伏产业的应用有哪些了”，从碳化硅的应用我们可以总结出这样一句话：它山之石可以攻玉，源头活水，哪怕是外来的，能够带来生机和希望已是价值不菲。2024年6月19日 碳化硅（SiC）是一种具有多型晶（polytypes）结构的宽禁带半导体材料，其主要多型晶包括4H-SiC、6H-SiC和3C-SiC ... 杂质 掺杂和缺陷控制：杂质的精确掺杂能够调控外延层的电学特性，缺陷控制则主要通过优化生长条件和使用高质量衬底来实现 ...碳化硅外延晶片：深度解析物理特性，外延技术和应用前景 ...
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一文看懂Sic功率器件 - 知乎
2023年8月21日 一、什么是SiC半导体？ 1. SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。不仅绝缘击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，而且在器件制作时可以在较宽范围内控制必要的p型、n2023年8月23日 一、碳化硅简介与特性 碳化硅（SiC）是一种由碳和硅元素稳定结合而成的晶体材料。其独特的结构特性使其具有诸多优异的物理和化学性质，如高温稳定性、高硬度、耐腐蚀性等。这些特性使得碳化硅在许多领域具有重要的应用价值，尤其是在能源、电子、半导体、陶瓷和 碳化硅材料：特性、应用与未来前景探析 - 知乎
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碳化硅简介 - 知乎
2020年12月7日 表 1 碳化硅主要性能指标 SiC包括250多类同素异构体，其中比较重点的有两种晶型：即β-SiC和α-SiC。如果用SiC制备半导体，通过其自身具有的特性来减少电子器件自身能耗，增强电子器件的利用率，SiC与Si、GaAs性能参数对照见表1.2。2023年10月27日 马康夫等采用 C 粉、Si 粉直接反应合成碳化硅粉体，特别地，在合成过程中通入 H2辅助高纯 SiC 粉体的合成，并将合成的粉体与未通 H2合成的粉体进行了对比研究，GDMS 测试发现通 H2有助于粉体中 N 含量的降低( 见表 5) ，紧接着进行了 SiC 单晶的生长碳化硅（SIC）单晶生长用高纯碳化硅（SIC）粉体的详解 ...
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三了解第三代半导体材料：碳化硅（SiC） - 知乎
2019年7月25日 2、碳化硅有什么用？ 以SiC为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生产技术和器件制造水平最成熟，应用最广泛的宽禁带半导体材料之一，目前在已经形成了全球的材料、器件和应用 ...碳化硅单晶生长第一步，要纯! 2024/02/28 点击 4947 次 中国粉体网讯 近年来，制备高纯SiC粉料逐渐成为SiC单晶生长领域的研究热点。生长SiC单晶用的SiC粉体纯度要求很高，杂质含量应至少低于0.001%，此外，碳化硅粉料的各项参数都直接影响 ...碳化硅单晶生长第一步，要纯!_中国纳米行业门户 ...
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碳化硅行业专题报告：关注国产衬底厂商扩产、器件厂商 ...
2023年11月22日 碳化硅的禁带宽度约为硅的 3 倍，理论工作温度可达 400℃以上。 2）饱和电子漂移速率指电子在半导体材料中的最大定向移动速度，决定器件的开 关频率。碳化硅的饱和电子漂移速率是硅的两倍，有助于提高工作频率，将器件小型化。
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