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2024年中国碳化硅产业链图谱研究分析（附产业链全
2024年5月17日 一、产业链. 碳化硅从材料到器件的制造过程会经历单晶生长、晶锭切片、外延生长、晶圆设计、制造、封装等工艺流程。 碳化硅产业链上游为衬底和外延；中游为器件和模块制造环节，包括SiC二极管、SiCMOSFET、 2023年12月6日 碳化硅行业产业链主要包括原材料、衬底材料、外延材料以及器件和模块等环节。 在上游，原材料主要包括各类硅烷、氮化硼等，这些原材料经过加工后制成碳化硅衬底材料。2023年全球及中国碳化硅（SiC）行业现状及发展趋
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预见2024：《2024年中国碳化硅行业全景图谱》(附市场规模 ...
2024年8月14日 目前中国工业生产的碳化硅分为黑碳化硅和绿碳化硅两种，都属于α-碳化硅。 其中黑碳化硅含SiC约95%，其韧性高于绿碳化硅，大多用于加工抗张强度低的材料，如玻璃、 2024年2月3日 当前公司的碳化硅产品主要由位于意大利及新加坡的晶圆厂进行生产，封装测试等后端制造则在中国深圳及摩洛哥完成，2022年公司 宣布在意大利新建一座碳化硅衬底制造厂，2023年6月公司与三安光电合作在中国重庆建立 2024年碳化硅行业专题报告：关注渗透加速下的国产
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碳化硅行业研究报告：多应用驱动供给缺口巨大，加速国产替代
2022年8月17日 技术产业化路径明确，衬底和外延占据主要价值。碳化硅产业链分为衬底、外延、 器件和应用四部分。其中，衬底、外延、前段、研发费用和其他分别在碳化硅器 件制造成 2021年4月29日 自 1955 年首次在实验室成功制备碳化硅单晶以来，美国、欧洲、日本等发达国家与地区不断创新碳化硅晶体的制备技术与设备， 形成了较大优势；而中国碳化硅晶体的研 2021年碳化硅行业研究报告 - 材料 - 半导体芯科技
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预见2022：《2022年中国碳化硅行业全景图谱》(附
2022年7月17日 目前中国工业生产的碳化硅分为黑碳化硅和绿碳化硅两种，都属于α-碳化硅。 其中黑碳化硅含SiC约95%，其韧性高于绿碳化硅，大多用于加工抗张强度低的材料，如玻璃、陶瓷、石材、耐火材料、铸铁和有色金属等。 绿 2022年1月12日 由于碳化硅衬底制备难度 最高，同时需要外延工艺来满足下一步器件生产要求，衬底和外延在碳化硅功率器件成本结构中占比分别可达 47% 和 23%，二者合计占比高达 70%，是碳化硅器件的主要成本来源。在尺寸方 天岳先进研究报告：全球半绝缘SiC衬底巨头，6英寸
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揭秘碳化硅，第三代半导体材料核心，应用七大领
2021年11月7日 碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。 碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。受益于 5G 通信、国防军工、新2022年7月22日 其中原材料主要是指工业硅和三氯氢硅，能耗包含电力及蒸汽，处理费用则是指生产设备的检查、修理费用。根据百川盈孚对 2022 年6 月上旬多晶硅生产成本的统计，原材料是占比最高的成本项，在全部成本中占 多晶硅行业研究：产业链、生产、共给、需求分析 （
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碳化硅行业研究：SiC成本逐步下降，行业有望迎来爆发拐点 ...
2022年8月15日 SiC 衬底是晶圆成本中占比最大的一项。 由于SiC衬底加工环节复杂、耗时， 所以其在整个 SiC 晶圆中所占成本比例最高。SiC晶圆的其他加工成本包括外压 以及正面和背面的掺杂、金属化、CMP、清洗等。考虑到SiC材料属于高硬度的 脆性材料，所以在 ...碳化硅生产主要原材料占比 2023-07-19T01:07:45+00:00 涨知识：碳化硅产业链图谱电子工程专辑 4 小时之前 碳化硅生产流程主要涉及以下过程： 1）单晶生长，以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料形成碳化硅晶体；2）衬底环节，碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序 2022年7月17日 行业概况 1、 材料 ...碳化硅生产主要原材料占比
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碳化硅（SiC）行业的最核心环节在哪？ - 知乎
2022年3月21日 从产业链角度看，碳化硅（SiC）类器件的制造，主要包含“衬底-外延-器件制造”三个步骤。 而在各环节的价值量比较中，SiC产业呈现明显“头重脚轻”的特征，其中衬底和外延有将近70%的价值量占比。与硅基器件相比，2023年9月27日 天岳先进专注于碳化硅单晶衬底的研发、生产和销售，当前公司的主要产品包括2-6英寸的半绝缘型衬底和导电型衬底，较早在国内实现了4英寸半绝缘型碳化硅衬底的产业化，同时完成了6英寸导电型碳化硅衬底的研发并开始小批量销售，当前在8英寸衬底方面研究碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关 ...
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国内外碳化硅标准比对分析 - 艾邦半导体网
2021年3月13日 摘要 为探明碳化硅国内外标准的情况和差异，本文调研、分析并选择了中国国家标准和行业标准、国际标准及美国、欧洲、日本、俄罗斯、罗马尼亚相关标准，选择碳化硅物理特性、碳化硅磨料化学分析方法、含碳化硅耐火材料化学分析方法、碳化硅晶片产品规格等进行标准 2021年2月24日 生产铬盐主要原材料为铬铁矿、纯碱、硫酸等。 其中铬矿成本占铬盐总成本比重约 30%。近年铬盐受铬矿原材料成本下行的影响，铬盐价格持续下行，根据振华股份披露的数据 2020 年三季度重铬酸盐平均价格 8782 元/吨，铬氧化物平均价格 16096 元 ...铬产业专题研究报告：2021年铬产业链投资展望 - 腾讯网
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10余家企业参与，5年内碳化硅（SiC）将全面入8英
因为碳化硅在生产环节存在单晶生产周期长、环境要求高、良率低等问题，碳化硅衬底的生产中的长晶环节需要在高温、真空环境中进行，对温场稳定性要求高，并且其生长速度比硅材料有数量级的差异。因此，碳化硅衬底生产工艺难度大， 2022年3月17日 硅片位于半导体产业链上游，是半导体器件和太阳能电池的主要原材料，主要应用于光 伏和半导体两个领域，下游需求近 ... 达招股说明书预测，碳化硅功率器件在光伏逆变器中的占比在2025年将达到50%， 轨道交通中碳化硅器件应用占比 ...到2025年，我国新材料将实现10万亿，这三个方向绝对大爆发
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碳化硅SiC衬底生产工艺流程及方法 - 知乎
2024年2月29日 HTCVD法能通过控制源输入气体比例可以到达较为精准的 Si/C比，进而获得高质量、高纯净度的碳化硅晶体，但由于气体作为原材料晶体生长的成本很高，该法主要用于生长半绝缘型晶体。液相法（LPE） 液相法SiC 2024年5月17日 1.碳化硅器件成本占比 在碳化硅器件的制造成本结构中，衬底成本通常占据最大比例，占比可达47%，其次是外延成本，占比 ... 在下游需求刺激下，近两年中国碳化硅外延片生产商掷出了数倍的扩产计划，我国碳化硅外延设备市场规模持续增长 ...2024年中国碳化硅产业链图谱研究分析（附产业链全景图 ...
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主要家电品类的原材料构成及占比（万字深度总结） - 知乎
2023年4月16日 塑料：电风扇外壳、叶片、安全网等多数零部件均采用塑料作为主要原材料。塑料在电风扇原材料的占比最高，通常占据电风扇成本的40%-60% 。2. 铜：电机的导线多数采用铜制成。铜的绝对重量可能不多，但价格比塑料要高得多。占据电风扇成本 ...2024年8月9日 先进陶瓷：在半导体设备零部件中价值占比约16% ，属于核心关键零部件，技术壁垒和加工难度极高。半导体行业遵循“一代技术、一代工艺、一代设备”的产业规律，其中，半导体设备是延续行业“摩尔定律”的瓶颈和关键，半导体设备精密零 ...陶瓷零部件：半导体设备关键环节，国产替代趋势加速
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负极材料：行业深度解析、产业链及龙头公司梳理（慧博出品 ...
2023年2月1日 作者：慧博智能投研受益于新能源汽车以及储能市场的快速发展，锂电池需求高涨。负极材料是锂离子电池的重要原材料之一。负极材料对于锂离子电池的能量密度、循环性能、充放电倍率以及低温放电性能具有影响较大的影响。其中，人造石墨负极因循环性能、安全性能相对占优，市占率逐年提高 ...2023年9月27日 作者：慧博智能投研碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关公司深度梳理近年来，随着5G、 新能源 等高频、大功率射频及电力电子需求的快速增长，硅基半导体器件的物理极限瓶颈逐渐凸显，如何在提升功率的同时限制体积、发热和成本的快速膨胀成为了半导体产业内重点关...碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关 ...
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“碳中和”系列专题六: 中国工业硅工艺碳排放现状及国内外碳 ...
2023年1月19日 合金硅的主要产品，2021 年硅铝合金消费占比17%，由于铝合金具有较高的减重效果、安全性 能，因此成为了汽车轻量化的主要应用材料，硅铝合金的终端应用包括汽车发动机、建材、建 筑、交通制造等领域。 我国是世界工业硅生产大国，2022年2月18日 碳化硅衬底是新近发展的宽禁带半导体的核心材料，碳化硅衬底主要用于微波电子、电力电子等领域，处于宽禁带 ... 强、抗腐蚀性能好、寿命长等特点，是碳化硅晶体生长过程中的耗材之一，其在碳化硅衬底生产原料中到2021年占比 达到45%以上 ...碳化硅，究竟贵在哪里？ - 知乎专栏
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出货大增！国产碳化硅衬底将占半壁江山 - 腾讯网
2024年6月12日 碳化硅功率器件具备优越的耐高压、耐高温、低损耗等特性，解决了传统硅基器件难以满足的性能需求，受到市场广泛欢迎。在过去1年多的时间里，国内碳化硅产业经历了快速发展。从日前召开的2024宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛上集微网获悉，2023年我国碳化硅衬底材料折合6英寸 ...2023年12月13日 碳化硅生产流程主要 涉及以下过程： 1）单晶生长，以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料形成碳化硅晶体；2）衬底环节，碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成单晶薄片，也即半导体衬底材料；3）外延片环节，通常使用化学气相 ...碳化硅SiC简介 - 知乎
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盘点我国16种“国产替代”新材料突围进展_生产_产能_高性能
2024年9月12日 自2011年以来，中国本土企业在SAP生产工艺上取得较大突破，逐步迈入规模化生产阶段，上海华谊、卫星石化、盛虹石化等一批石化类企业的进入使得生产厂家实现了由上游丙烯酸原材料至中游产品生产的全产业链布局，行业发展格局更加稳固。2022年9月13日 2021 年中国半导体材料市场规模 266.4 亿美元，占比 41.4%，为全球半导体材料市场规模 最高的国家。我们认为，在中美贸易战背景下，半导体国产替代已经成为产业共识，半导体 材料作为晶圆制造及封装工艺的关键上游环节，国产厂商有望充分受益于中国晶圆厂扩产以 及自主可控的红利，景气度持续 ...半导体材料行业深度研究：晶圆厂迎扩产潮，大国利剑国产 ...
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2022年SiC功率半导体供应商Top5排名出炉，8英寸衬底加速布局
2023年6月20日 天科合达的徐州基地二期预计2024年投产，主要生产衬底；大兴总部基地二期预计2025 ... 在这一片勃勃生机万物竞发的景象下，新能源市场占比最高的纯电车型，却在下半年 又一芯片大厂终止研发！ ...2024年10月18日 碳化硅衬底切割技术是将SiC晶锭沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程。将SiC晶锭切成翘曲度小、厚度均匀的晶片。切割方式和切割质量影响晶片的厚度、粗糙度、尺寸、耗损度及生产成本等。 在碳化硅器件成本中，衬底占比47%左右，是价值量最高的原材料。顺应降本增效趋势，半导体碳化硅(SiC) 衬底4种切割技术详解
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碳化硅 ~ 制备难点 - 知乎
2023年3月13日 概述 碳化硅器件生产过程跟传统的硅基器件基本一致，主要分为衬底制备、外延层生长、晶圆制造以及封装测试四个环节： 衬底：高纯度的碳粉和硅粉 1:1 混合制成碳化硅粉，通过单晶生长成为碳化硅晶锭，然后对其进行切割、打磨、抛光后得到透明的碳化硅衬底，其厚度一般为 350 μm；2021年8月16日 除此之外，碳化硅基功率器件在开关频率、散热能力、损耗等指标上也远好于硅基器件。碳化硅材料具有更高的饱和电子迁移速度、更高的热导率、更低的导通阻抗。1、阻抗更低，可以缩小产品体积，提高转换效率；2、频率更高，碳化硅器件的工作频率可达硅基器件的10 倍，而且效率不随着频率的 ...第三代半导体之碳化硅：中国半导体的黄金时代 - 知乎
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第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展 - 知乎
2021年6月11日 SiC 外延：碳化硅外延材料生长的主要方法有化学气相淀积、液相外延、 分子束外延以及升华外延， 目前大规模生产主要采用的是化学气相淀积。 以高纯的氩气或者氢气作为载体气体， Si 源气体和 C 源气体被载气带入淀积室发生化学反应后生成 SiC 分子并沉积在碳化硅衬底上， 其晶体取向与衬底 ...2023年11月29日 国内主要SiC碳化硅衬底企业汇总1、山东天岳先进科技股份有限公司（688234）公司成立于 2010 年，主营业务是宽禁带半导体（第三代半导体）碳化硅衬底材料的研发、生产和销售，产品可应用于微波电子、盘点国内SiC碳化硅衬底与外延片公司（附碳化硅投资逻辑）
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