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半导体碳化硅衬底的湿法氧化 - Researching
2024年7月30日 本文综述了目前单晶4H-SiC湿法氧化的研究现状,讨论了4H-SiC湿法氧化工艺所选用的氧化剂,如 KMnO 4 、H 2 O 2 、K 2 S 2 O 8 等。 在此基础上,进一步总结了常用的氧 2016年10月10日 摘要：粉体采用湿法分级工艺，是干法分级不可代替的传统工艺。 溢流分级使颗粒表面更清洁，粒度氛围更趋于符合产品的组成范围。 本文阐述了以 碳化硅 、刚玉微粉为例的分级工艺，希望起到抛砖引玉的效果。碳化硅、刚玉微粉湿法分级工艺介绍 - 粉体分级设备_
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半导体碳化硅湿法腐蚀工艺研究 - Researching
2022年3月20日 蚀(RIE)、高温气体刻蚀等干法刻蚀技术,而湿法腐蚀具有腐蚀速率高、缺陷选择性等特点,可以作为干法刻 蚀的技术补充[13-15]。SiC的湿法腐蚀过程主要包括晶体表面氧化、 2017年3月22日 本文阐述了以 碳化硅 、 刚玉 微粉为例的分级工艺，希望起到抛砖引玉的效果。 一、对粉体湿法分级工艺的认识. 水力分级是根据流体动力学的原理，使颗粒物料在流体介 碳化硅、刚玉微粉湿法分级工艺介绍_技术_磨料磨具网_磨料 ...
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半导体碳化硅湿法腐蚀工艺研究 人工晶体学报 -- 中国光学 ...
2022年3月24日 本文综述了不同湿法腐蚀工艺的腐蚀机理、腐蚀装置和应用领域，并展望了SiC湿法腐蚀工艺的发展前景。 碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿场强高、 2022年3月10日 半导体碳化硅 (SiC)具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿场强高、热导率高、化学稳定性好等优异特性，是制备高性能功率器件等半导体器件的理想材料，是实现现代 半导体碳化硅湿法腐蚀工艺研究_张序清 - 道客巴巴
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半导体碳化硅湿法腐蚀工艺研究-【维普期刊官网】- 中文期刊 ...
得益于工艺简单、操作便捷、设备要求低等优点,湿法腐蚀已作为晶体缺陷分析、表面改性的常规工艺手段,应用到了SiC晶体生长和加工中的质量检测以及SiC器件制造。 根据腐蚀机制不同,湿法 2023年6月25日 本文综述了目前单晶 4H-SiC 湿法氧化的研究现状,讨论了 4H-SiC 湿法氧化工艺所选用的氧化剂,如 KMnO4 、H2 O2 、K2 S2 O8 等。 在此基础上,进一步总结了常用的氧化 半导体碳化硅衬底的湿法氧化_百度文库
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碳化硅、刚玉微粉湿法分级工艺介绍_技术_涂附磨具网
2017年3月23日 本文阐述了以碳化硅、刚玉微粉为例的分级工艺，希望起到抛砖引玉的效果。 一、对粉体湿法分级工艺的认识. 水力分级是根据流体动力学的原理，使颗粒物料在流体介质（ 【摘 要】碳化硅 (SiC)具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿场强高、热导率高、化ຫໍສະໝຸດ Baidu稳定性好等优异特性,是制备高性能功率器件等半导体器件的理想材料。 得益 半导体碳化硅湿法腐蚀工艺研究 - 百度文库
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一文读懂超细粉体湿法分级技术与设备_技术_磨料磨
2017年6月30日 二.湿法分级技术与干法的区别 粉体的分级技术按所用的流体介质不同可分为湿法分级（介质为水或其它液体）与干法分级（介质为空气）。 干法与湿法分离粉对比 干法分级技术是利用空气作为分级介质，运行成本较低， 2021年11月17日 在LED外延及芯片制造领域，湿法设备占据约40%以上的工艺，随着工艺技术的不断发展，湿法设备已经成为LED外延及 ... -外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅 单晶碳化硅低温湿法刻蚀试验 - 华林科纳（江苏）半
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碳化硅晶圆湿法腐蚀方法与流程
2019年7月6日 本发明涉及湿法腐蚀技术领域，特别是涉及一种碳化硅晶圆湿法腐蚀方法。背景技术晶圆是指半导体集成电路制作所用的晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；晶圆是制造半导体芯片的基本材料，半导体集成电路最主要的原料是硅，因此对应的就是硅晶圆。在硅晶圆上可加工制作成各种电路元件 ...陽能模組廢棄物之技術，並將分選純化後的有價物質循環再利用，有助於地球環境友 善發展。本研究以礦物分選技術將太陽能廢棄物比喻做礦山，利用濕法冶金技術有效 的將各有價物質分離並循環回產業。圖 1 太陽能模組安裝量與廢棄量預估圖(2020-2050)矽晶型太陽能光電模組資源化技術研究 - TGPF
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【技术】 浅谈半导体湿法清洗技术 - 世强硬创平台
2022年12月17日 一、湿法清洗介绍及其重要性 湿法清洗：是指利用各种无机或有机化学试剂对晶片表面附着的杂质进行清除。在芯片制造过程中，空气、人体、厂房、生产设备、化学药剂、辅助材料等，都会携带各种微尘、有机物、无机物和金属离子等杂质。 这些杂质会影响芯片良率、电学性能以及可靠性，因此 ...2011年6月4日 碳化硅微粒的水力溢流分级过程的数值模拟:随着现代工业对碳化硅颗粒的要求朝着小粒径、窄粒级的方向发展,工业上对分级机的要求也越来越高。水力溢流分级机是目前碳化硅颗粒分级普遍采用的湿法分级设备,对其进行研究,弄清它的工作原理和设备参数及操作参数对分级机分级效果的影响规律,对 ...碳化硅濕法分選 -采石场设备网
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图文详解碳化硅衬底的湿法氧化 - 面包板社区
2023年12月4日 摘要半导体碳化硅(4H-SiC)材料具有硬度高、脆性大、化学性质稳定等特点，一般使用化学机械抛光工艺来加工SiC以获得超光滑平坦表面。湿法氧化作为单晶SiC化学机械抛光的重要过程，直接影响着CMP的速相关的技术文库，帮助电子工程师学习最新 ...2017年3月22日 摘要 粉体采用湿法分级工艺，是干法分级不可代替的传统工艺。 溢流分级使颗粒表面更清洁，粒度氛围更趋于符合产品的组成范围。本文阐述了以碳化硅、刚玉微粉为例的分级工艺，希望起到抛砖引玉的效果。 一、对粉体湿法分级工艺的认识 ...碳化硅、刚玉微粉湿法分级工艺介绍_技术_磨料磨具网_磨料 ...
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一种固相烧结碳化硅陶瓷湿法成型用低粘度高固含量水基浆料 ...
2018年7月7日 本发明中，所得水基碳化硅陶瓷浆料的粘度可为0.1～3Pas，体积固含量可为55vol％～58vol％。应注意，上述水基浆料可用于固相烧结碳化硅陶瓷湿法成型，得到坯体。其中，所述湿法成型方法包括但不限于凝胶注模成型、注浆成型及流延成型。2022年3月24日 碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿场强高、热导率高、化学稳定性好等优异特性，是制备高性能功率器件等半导体器件的理想材料。得益于工艺简单、操作便捷、设备要求低等优点，湿法腐蚀已作为晶体缺陷分析、表面改性的常规工艺手段，应用到了SiC晶体生长和加工中的质量 ...半导体碳化硅湿法腐蚀工艺研究 人工晶体学报 -- 中国光学 ...
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一种碳化硅晶片的清洗方法与流程 - X技术网
2019年4月5日 可选地，所述湿法清洗的清洗剂包括浓硫酸、硝酸、盐酸、氢氟酸、磷酸、双氧水和去离子水中的至少一种。可选地，所述湿法清洗的清洗温度为20～150℃。优选地，所述湿法清洗使用超声或兆声波清洗。可选地，所述湿法清洗选自rca湿式化学清洗技术。2019年6月1日 碳化硅微粉的生产加工工艺也是非常复杂的。碳化硅微粉的磁选设备多选用湿式磁选机。因为碳化硅微粉的颗粒比较小，因此干法磁选会造成粉尘飞扬。碳化硅粒度组成的检查是碳化硅使用生产加工过程中必备过程程，这一过碳化硅微粉的化学处理和检查方法 - 知乎
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GaN，ZnO和SiC的湿法化学蚀刻 - 华林科纳（江
2021年10月14日 在LED外延及芯片制造领域，湿法设备占据约40%以上的工艺，随着工艺技术的不断发展，湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备，如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温 2023年5月29日 采用干法，湿法 ，干湿相结合的方法生产碳化硅细粉。耐火材料 晶粒完整、气孔率低、颗粒形状好、堆积密度高 ... 东海县蓝博能源有限公司，是专业生产碳化硅产品为主的矿产品加工企业。始建于1991年，拥有进口自主经营权，是中国五矿化工 ...网站首页-碳化硅生产厂家-东海县蓝博能源有限公司
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一文读懂超细粉体湿法分级技术与设备_技术_磨料磨具网 ...
2017年6月30日 二.湿法分级技术与干法的区别 粉体的分级技术按所用的流体介质不同可分为湿法分级（介质为水或其它液体）与干法分级（介质为空气）。 干法与湿法分离粉对比 干法分级技术是利用空气作为分级介质，运行成本较低，维护方便易行。碳化硅（SiC）具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿场强高、热导率高、化学稳定性好等优异特性，是制备高性能功率器件等半导体器件的理想材料。得益于工艺简单、操作便捷、设备要求低等优点，湿法腐蚀已作为晶体缺陷分析、表面改性的常规工艺手段，应用到了SiC晶体生长和 半导体碳化硅湿法腐蚀工艺研究 - 中文知识网
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碳化硅筛分法和电阻法检测
2015年1月13日 筛分法是一种最传统的碳化硅粒度测试方法。 它是使颗粒通过不同尺寸的筛孔来测试粒度的。筛分法分干筛和湿筛两种形式，可以用单个筛子来控制单一粒径碳化硅颗粒的通过率，也可以用多个筛子叠加起来同时测量多个粒径颗粒的通过率，并计算出百分数。一是硫酸生产湿法磷酸，既要将磷矿中的磷酸盐经过复分解的化学反应来生产磷酸液体，又要将磷矿中所含的钙元素经过结晶沉淀生成不溶的硫酸钙固体；固相的消失与固相的诞生相互伴随，其最好的技术是旧固相磷矿分解消失殆尽，新固相硫酸钙结晶粗大知乎盐选 第四节 盐酸制取湿法磷酸的生产技术
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一文读懂超细粉体湿法分级技术与设备 - 360powder
2017年6月29日 湿法 分级技术与干法的区别 粉体的分级技术按所用的流体介质不同可分为湿法分级（介质为水或其它液体）与干法分级（介质为空气）。干法分级技术是利用空气作为分级介质，运行成本较低，维护方便易行。但它有两个不足：一是容易产生 ...2020年2月12日 所以可以先利用磁选法进行初步磁选，然后通过酸浸法进行二次除铁的方法。 赵平等对陶瓷级碳化硅微粉首先利用脉动高梯度电磁磁选机进行初步的磁选，然后加入四种不同类型的酸即硫酸、盐酸、草酸、盐酸与草酸1：1比例混5种碳化硅微粉去除铁杂质的工艺方法_水进行
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一种反应烧结碳化硅及其湿法成型制备方法 - 百度学术
2023年6月9日 本发明涉及结构陶瓷材料技术领域,具体涉及一种反应烧结碳化硅及其湿法成型制备方法.本发明公开了一种反应烧结碳化硅及其湿法成型制备方法,包括步骤:取原料85 wt.%~92 wt.%碳化硅,5 wt.%~10 wt.%碳源,1 wt.%~2 wt.%分散剂,1 wt.%~2 wt.%粘结剂以及0.32024年7月29日 而湿法氧化过程是决定4H-SiC衬底CMP 加工效率的重要因素。《人工晶体学报》2024年53卷第2期发表了来自 浙江大学杨德仁院士 团队的综述论文《 半导体碳化硅衬底的湿法氧化 》（第一作者：鲁雪松；通信 ...论文推介丨浙大 半导体碳化硅衬底的湿法氧化 - 新闻通知 ...
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《炬丰科技-半导体工艺》单晶碳化硅低温湿法刻蚀试验
2021年11月11日 文章浏览阅读738次。书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：单晶碳化硅低温湿法刻蚀试验编号：JFHL-21-1037作者：炬丰科技引言硅片在大口径化的同时，要求规格的严格化迅速发展。特别是由于平坦度要求变得极其严格，因此超精密磨削技术得以开发，实现了无蚀刻 2007年6月29日 生产规模较小时，可采用永磁块湿法磁选。 当生产规模较大时，可采用湿式电磁磁选机，如CST162型电磁除铁机。 该机磁场强度为7000奥斯特以上，每隔20~30min停机取出滤片清洗一次，可使物料的磁性物含量降至0.002%以上。绿碳化硅微粉的磁选-科技-资讯-中国粉体网
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中科大 温晓镭，浙大 胡欢Small Methods：面向制备高质量 ...
2024年1月22日 碳化硅（ SiC ）作为备受瞩目的第三代半导体材料，具备很多优越性能。例如，它能够承受高电场、耐高温，非常适合用于高温电子器件和功率电子器件；同时，它具备高杨氏模量和密度比，适合构建高频和高品质因子的机械谐振器；此外，SiC 还拥有优越的化学惰性，适用于制备在极端温度或腐蚀性 ...6 天之前 濕法冶金的歷史可以追溯到公元前200年，中國的西漢時期就有用膽礬法提銅的記載。但濕法冶金近代的發展與濕法煉鋅的成功、拜爾法生產氧化鋁的發明以及鈾工業的發展和20世紀60年代羥肟類萃取劑的發明並套用於濕法煉銅是分不開的。濕法冶金(通過溶液分離金屬的技術) - 中文百科全書
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碳化硅、刚玉微粉湿法分级工艺介绍_技术_涂附磨具网
2017年3月23日 摘要粉体采用湿法分级工艺，是干法分级不可代替的传统工艺。溢流分级使颗粒表面更清洁，粒度氛围更趋于符合产品的组成范围。本文阐述了以碳化硅、刚玉微粉为例的分级工艺，希望起到抛砖引玉的效...生产规模较小时，可采用永磁块湿法磁选。.碳化硅的工业制法是用优质石英砂和石油。碳化硅磁选plc，碳化硅在防腐涂料及陶瓷等方面的用途棕刚玉碳化硅金刚砂白刚玉黑刚玉河南绿洋抛光磨料厂碳化硅的工业制法是用优质石英砂和石油焦在电阻炉内炼制。碳化硅磁选plc_破碎机厂家
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半导体碳化硅湿法腐蚀工艺研究_张序清 - 道客巴巴
2022年3月10日 第51卷第期0年月人工晶体学报JOURNALOFSYNTHETICCRYSTALSVol．51No．February，0半导体碳化硅湿法腐蚀工艺研究张序清1，，罗昊1，李佳君，王蓉，杨德仁1，，皮孝东1，1．浙江大学硅材料国家重点实验室材料科学与工程学院，杭州31007;．浙江大学杭州国际科创中心，杭州31100摘要:碳化硅SiC具有 2019年7月6日 本发明涉及湿法腐蚀技术领域，特别是涉及一种碳化硅晶圆湿法腐蚀方法。背景技术晶圆是指半导体集成电路制作所用的晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；晶圆是制造半导体芯片的基本材料，半导体集成电路最主要的原料是硅，因此对应的就是硅晶圆。在硅晶圆上可加工制作成各种电路元件 ...碳化硅晶圆湿法腐蚀方法与流程
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